晶体管特性
对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的工作特性进行了理论分析。由于IGBT所含的PNP晶体管是宽基区、低增益的,因此在分析其工作特性时用了双极传输理论。
来源:互联网摘选论文分析了由雪崩晶体管组成的窄脉冲发生电路和阶跃二极管组成的脉冲整形电路的原理与特性。为纳秒和亚纳秒级脉冲电路的设计与实现提供了必要的理论依据。
来源:互联网摘选提出了一种用PSPICE程序模拟绝缘栅双极型晶体管(IGBT)特性的方法。
来源:互联网摘选基于单电子晶体管(SET)的I_U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门。
来源:互联网摘选实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度。
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